محل تبلیغات شما
ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps
Abstract - The effects of doping on the performance of coaxially gated carbon nanotube (CNT) field-effect transistors for both zero Schottky-barrier (SB) and doped carbon nanotube contacts are theoretically investigated. For ultrascaled CNTFETs in which the source/drain metal contacts lie 50 nm apart, there is no MOSFET-like contact CNTFET (C-CNTFET) with an acceptable on/off current ratio using a CNT of diameter >= 1.5 nm and a source/drain voltage >= 0.4 V. For CNTFETs with source/drain metal contacts either 50 nm or 100 nm apart, there is an optimal doping concentration of 1e-3 dopants per atom. The maximum on/off current ratios for the 50 nm CNT/5 nm gate and the 100 nm CNT/10 nm gate SB-CNTFETs are 5e4 and 6e5, respectively. Performance metrics of delay time, cutoff frequency, and LC frequency are presented and compared.

این مقاله در 20 صفحه با کیفیت بسیار عالی به فارسی ترجمه شده و در دو قالب word و pdf برای دانلود آماده شده است.

ترجمه مقاله Analytical and visual modeling of InGaN/GaN single quantum well laser based on rate equations

تکنولوژی SiGe - ترجمه فصل 5 کتاب VLSI Technology

آموزش MATLAB 2014 در مهندسی (مباحث ویژه)

nm ,and ,the ,of ,drain ,source ,source drain ,50 nm ,carbon nanotube ,drain metal ,nm apart ,with source drain ,drain metal contacts ,source drain metal

مشخصات

آخرین مطالب این وبلاگ

برترین جستجو ها

آخرین جستجو ها

پادگان جوادنیا قزوین #خاطرات خدمت سربازی Diane's info وب سایت شخصی حسین باقری فروشگاه های اینترنتی inepalproof Brian's style Mark's blog کفسابی سنگسابی نماشویی‌ساب‌زنی‌سنگ‌سابی کف سابی مغانلو 09126389245 رقص توهم liacomneli